高溫匣缽對晶體氧含量的影響

　　如果想要更好地使用高溫匣缽，那么我們就應該做出一些相關的了解，有的時候我們去做檢測的時候，我們應該要知道晶體氧含量，那么它對晶體氧含量的影響是什么？
　　1、單晶中氧的主要來源
　　雖然高溫匣缽的熔點要高于硅料的熔點，但是在高溫過程中熔融的液態硅會侵蝕坩堝，從而導致少量的氧進入晶體內部。在硅的熔點（1420℃）附近，溶硅與坩堝作用，生成SIO進入硅溶體。然后經過機械對流、熱對流等方式使SIO傳輸到熔體表面，因此到達硅熔體表面的SIO以氣體形式揮發，而剩下的一小部分SIO溶解在硅液中以氧原子形態存在于液體硅中之后進入晶體內從而影響單晶的氧含量。
　　2、坩堝阻止氧含量釋放的措施
　　氧主要來源于高溫匣缽，因此如何降低坩堝中氧的釋放則是單晶降低氧含量的重要手段，而產品品質的好壞直接關系到放含量的釋放程度。坩堝中氧的釋放過程實際上就是坩堝氣泡層穿透透明層向硅液中釋放氧的過程，而在坩堝內層燒結一層3-5mm左右的透明層，從而既保證了坩堝內表面的純度又不致于使坩堝軟化點過低。因此，坩堝透明層的質量好壞決定了坩堝氣泡的釋放程度。
　　以上就是高溫匣缽對晶體氧含量影響的一些相關介紹，我們只要是知道晶體氧含量的影響，那么我們可以按照以上這些，來做一些工作。